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표면처리 기술

아노다이징의 원리와 공정 과정을 소개합니다.

이에프테크놀로지는 알루미늄 아노다이징 표면처리 기술을 보유하고 있습니다.

아노다이징은 알루미늄 표면을 전기화학 반응으로 산화 피막으로 바꾸는 표면처리입니다. 피막은 소재와 일체화되어 벗겨지지 않으며 내식성 · 내마모성 · 절연성을 높입니다. 이에프테크놀로지는 경질 · 연질 아노다이징 전 공정을 자체 라인에서 운영하고 있습니다.

피막은 소재 표면이 바뀐 층입니다

아노다이징 피막 성장 단면 원래 표면선을 기준으로 피막의 약 절반은 소재 안쪽으로 침식하고 약 절반은 바깥으로 성장한다. 피막은 얇은 배리어층과 두꺼운 다공층으로 이루어진다. 황산 전해액 알루미늄 소재 (처리 전) 원래 표면선 바깥 성장 ≈ t/2 (치수 증가분) 안쪽 침식 ≈ t/2 (소재 소모분) 피막 두께 t (Type III ≈ 반/반) 다공층: 육각 셀마다 기공 1개, 염료가 들어가는 자리 배리어층: 기공 없는 얇은 치밀층 알루미늄 소재 (처리 후) 산화는 배리어층(금속/산화물 계면)에서 진행되어 아래로 파고든다 양극(부품): 2Al + 3H₂O → Al₂O₃ + 6H⁺ + 6e⁻ 음극: 2H⁺ + 2e⁻ → H₂↑
피막 성장 단면 — 원래 표면선을 기준으로 절반은 소재 속으로 파고들고 절반은 바깥으로 자란다

도금은 소재 위에 다른 금속을 적층하지만, 아노다이징 피막은 알루미늄 자체가 산화알루미늄으로 전환된 층입니다. 피막은 원래 표면선을 기준으로 절반은 소재 내부로 침투하고 절반은 외부로 성장하므로, 치수 공차가 있는 부품은 피막 두께의 절반만큼 치수가 커지는 것을 설계 단계에서 반영합니다. 피막 내부의 규칙적인 미세 기공은 마지막 실링(봉공) 단계에서 밀봉해 내식성을 확보합니다.

공정 흐름

단계를 누르면 그 공정의 설명과 그림이 바뀝니다.

01 · Racking

랙킹

부품을 전용 랙에 걸어 전류가 흐르는 접점 위치와 제품 방향을 고정하는 단계입니다.

아노다이징은 부품 자체에 전류를 흘리는 공정이라, 랙과 부품이 닿는 접점이 곧 전기 통로입니다. 접점 위치·개수·배치는 피막 두께 분포와 접점 자국의 위치를 결정하므로 부품별 전용 랙을 설계하고 도면의 비기능부에 접점을 둡니다.

부분 처리가 필요한 부품은 지그로 통전 위치를 잡으면서 처리하지 않을 영역을 가립니다. 당사는 간소한 마킹 기능을 갖는 도금용 지그 장치를 등록특허로 보유하고 있습니다.

접점 자국 · 마스킹 안내
접점 (통전 위치)전용 랙 · 접점 위치와 제품 방향을 기록

아노다이징의 효과

내식성부식 환경에서 소재를 보호합니다.
내마모성경질 피막으로 표면 경도를 높입니다.
절연성전기 절연이 필요한 부품에 적용합니다.
외관균일하고 깨끗한 표면으로 마감합니다.